Перегляд за автором "Опилат, В.Я."

Результати 1-5 з 5

Вплив нейтронного опромінення на вольтамперні характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів

Вишневський, І.М.; Конорева, О.В.; Кочкін, В.І.; Ластовецький, В.Ф.; Литовченко, П.Г.; Опилат, В.Я.; Тартачник, В.П. (Доповіді НАН України, 2010)

Дослiджується вплив опромiнення швидкими нейтронами реактора (E¯ = 1 МеВ) на вольтампернi характеристики (ВАХ) фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв. Виявлено зсув додатних гiлок ВАХ в область менших напруг при малих дозах опромiнення ...
Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs

Сизов, Ф.Ф.; Гришин, Ю.Г.; Круковський, С.І.; Опилат, В.Я.; Петренко, І.В.; Савкіна, Р.К.; Смірнов, О.Б.; Тартачник, В.П. (2009)

Дослiджується вплив швидких нейтронiв на зразки свiтловипромiнюючих дiодних структур n^+-n-p-AlxGa1−xAs/GaAs (x = 0,27 ÷ 0,31). Вольт-ампернi характеристики вимiрювалися в iнтервалi температур 77 К – 300 К до та пiсля ...
Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора

Друзенко, Н.В.; Куц, В.І.; Мосолаб, О.В.; Ушата, Л.В.; Гришин, Ю.Г.; Тартачник, В.П.; Чирко, Л.І.; Опилат, В.Я.; Смирнов, С.Б.; Ластовецький, В.Ф.; Литовченко, П.Г. (2010)

Вивчались пробійні процеси у фосфідо-галієвих світлодіодах. Проведені оцінки величини коефіцієнта ударної іонізації у вихідних зразках. Показано, що опромінення нейтронами спричиняє збільшення зворотнього струму, обумовленого ...
Дія проникаючої радіації на електрофізичні характеристики світловипромінюючих діодів GaP

Конорєва, О.В.; Литовченко, П.Г.; Опилат, В.Я.; Петренко, І.В.; Пінковська, М.Б.; Тартачник, В.П. (Вопросы атомной науки и техники, 2008)

Досліджувалась природа ділянок від’ємного диференційного опору (ВДО) S- та N-типу на вольт- амперних характеристиках (ВАХ) фосфідогалієвих світлодіодів. Існування S-подібних ділянок пов’язується з процесами захоплення ...
Особливостi струмових нестабiльностей фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв, опромiнених нейтронами

Конорева, О.В.; Ластовецький, В.Ф.; Ластовецький, В.Ф.; Опилат, В.Я.; Гришин, Ю. Г.; Петренко, I.В.; Пiнковська, М.Б.; Тартачник, В.П. (2008)

GaP LEDs with atypical current characteristics are studied by optical and electrical methods. The thin structure of an S-shaped NDR region which appears in the current-voltage characteristics at low temperatures (100–77 ...

Результати 1-5 з 5

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Опилат, В.Я."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Опилат, В.Я."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис